中國教育報-中國教育新聞網訊（記者 李瑩 金秋月）近日，吉林大學鄒廣田院士團隊在大尺寸單晶金剛石制備領域取得重大突破，成功研發(fā)出擁有自主知識產權的“臺階流調控技術”，并制備出2英寸（50*50 mm2）單晶金剛石。相關成果發(fā)表于國際學術期刊Functional Diamond, 2026, 6, 2620820。這標志著我國在“下一代超寬禁帶半導體”戰(zhàn)略材料——金剛石的制備技術上邁出了關鍵一步，為實現其產業(yè)化應用奠定了堅實基礎。

金剛石以其卓越的物理和電學性能，被譽為“終極半導體”材料，具備超高臨界電場強度、高載流子遷移率、高熱導率等優(yōu)勢，在功率電子、射頻器件、量子信息等前沿領域具有廣闊應用前景。

近年來，鄒廣田院士團隊先后承擔廣東省重點領域研發(fā)計劃、工信部重點項目、海南省重點專項等，累計科研經費達5000萬元，建成國內首臺30 kW、2.45 GHz MPCVD金剛石生長設備，成功生長出6英寸多晶金剛石膜，平均生長速率達12 μm/h，良品率超70%；已具備批量制備1英寸單晶金剛石能力，技術成熟度達7級。在純度控制方面，團隊研發(fā)出雜質俘獲與位錯湮滅技術，使氮、硅雜質濃度低于PL及XPS光譜探測極限，氮雜質濃度小于5 ppb，達到國際領先水平，與元素六公司產品相當。

隨著大尺寸、高純度單晶金剛石制備技術的不斷成熟，金剛石材料必將從“未來材料”躍升為驅動新一代信息技術、高端裝備、生物醫(yī)療等領域創(chuàng)新發(fā)展的“核心材料”，其商業(yè)化進程與應用拓展正迎來黃金發(fā)展期。